khimie.ru

Тонкое строение кристаллических силикатов установлено только в последнее время, главным образом путем рентгеновских исследований. Определение структуры при помощи рентгеновских лучей показало, что кристаллические силикаты образуют координационные решетки, которые в первом приближении можно  рассматривать как ионные. Принцип строения всех исследованных до сих пор кристаллических силикатов одим и тот же, и он основан на образовании кислородных тетраэдров вокруг каждого иона Si⁴⁺, причем расстояние Si→О равно около 1,60 Å. Если на каждый ион Si⁴⁺ стсхиометрически приходится меньше четырех иопов О^3-, то этот принцип построения сохраняется благодаря тому, что ионы О^2- могут быть общими для соседних тетраэдров. Между отрицательными комплексными ионами, состоящими из отдельных тетраэдров SiO₄ или из тетраэдров, соединенных между собой общими ионами О^2-, расположены положительны ионы, участвующие в построении кристалла. Эти ионы располагаются возможно дальше друг от друга, и, как вообще в координационных решетках. группируют вокруг себя как можно ближе и больше отрицательных ионов (в данном случае ионов О^2- тетраэдров SiO₄). На основании внутреннего строения силикаты подразделяют на соединения с островными структурами, с цепочечными и ленточными, структурами, со слоистыми и с пространственными, сетчатыми структурами.